SISA34DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:40A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和40A的連續漏極電流（ID），在驅動電壓條件下導通電阻（RDS(ON)）低至5毫歐。其高電流承載能力與極低導通損耗特性，適用于大功率電源轉換、電池管理系統及高效率開關電路等場合。器件在高頻工作狀態下仍能保持較低的溫升，有助于提升系統整體能效，并滿足對緊湊布局和散熱性能要求較高的電子設備需求。
