SPD06N60C3BTMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:8.6A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:525mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有8.6A的連續漏極電流與800V的漏源擊穿電壓，導通電阻為525mΩ，在柵源電壓范圍-8V至@0V內穩定工作。器件采用碳化硅材料，具備優異的高溫性能與開關特性，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉換場景。其低導通損耗與高耐壓能力使其在高頻開關應用中表現突出，可有效提升系統整體能效與可靠性。
