NVMFS5C450NAFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:130A 參數(shù)2：VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:2.8mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備130A的連續(xù)漏極電流（ID）和40V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）僅為2.8毫歐。如此低的導(dǎo)通電阻有效降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，適合在高電流、高效率要求的電源轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用中使用。其電氣特性支持快速開關(guān)操作，適用于對(duì)熱性能和能效有較高要求的電子系統(tǒng)，如大功率電源模塊、電池管理系統(tǒng)及高效電機(jī)控制等場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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