NVTFS4C08NTWG-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:40A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有40A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至5毫歐。器件適用于對效率和熱性能要求較高的電源管理場景，其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升系統整體能效。由于具備較高的電流承載能力和較低的壓降特性，該MOSFET可廣泛用于各類高頻率開關電路及功率轉換模塊中，滿足緊湊型設計對空間與散熱的嚴苛需求。
