IRFH7936TRPBF_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道MOSFET具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為4.3毫歐，柵源電壓（VGS）最高為20V。其極低的導通電阻有效降低了導通狀態下的功率損耗，有利于提升系統效率并減少散熱需求。適用于高電流、高頻率的開關場景，如電源模塊、電動工具、便攜式設備的電機驅動及高效能計算設備中的電源管理單元等。
