NTMFS4744NT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET額定漏極電流ID為50A，最大漏源電壓VDSS為30V，導通電阻RDS(ON)為6.5毫歐，柵源電壓VGS最高可達20V。低導通電阻有助于在大電流工作時降低功耗與溫升，提升整體能效。其電氣特性適合用于高效率電源轉換、電池管理系統、電動工具驅動以及各類需要頻繁開關操作的電子設備中，能夠在保持穩定性能的同時支持緊湊型電路設計。
