NTMFS4926NET1G_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET支持80A的連續(xù)漏極電流，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻典型值為4.7毫歐，柵源電壓額定值達(dá)20V。其低導(dǎo)通電阻有效減少導(dǎo)通損耗，在高電流工作條件下仍能維持較低溫升。器件適用于高效率電源管理、直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制及高頻開關(guān)電路等場合，能夠在緊湊布局中提供穩(wěn)定的電氣性能和良好的熱表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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