DMTH10H009SPS-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:7.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的漏源電壓（VDSS）為100V，最大連續漏極電流（ID）達75A，在柵源電壓（VGS）為20V時導通電阻（RDS(ON)）低至7.3毫歐。其低導通電阻有助于顯著降低導通損耗，適用于高效率電源轉換、電機驅動及高頻開關等電路應用。器件在大電流條件下仍能保持良好的熱穩定性和開關特性，適合對功率密度和能效有較高要求的電子系統。
