DMTH10H009SPSW-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:7.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備100V的漏源電壓（VDSS）額定值，最大連續漏極電流（ID）達75A，在柵源電壓（VGS）為20V時導通電阻（RDS(ON)）僅為7.3毫歐。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，提升整體能效。器件適用于高電流、高頻率的電源管理、電機控制及開關轉換等電路拓撲中，其電氣特性支持快速開關動作與穩定工作性能。
