DMT10H009SPSW-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:7.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET器件具有100V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）低至7.3毫歐，可支持高達75A的連續漏極電流（ID）。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升系統效率，適用于對功率密度和熱性能要求較高的電源轉換、電機驅動及高頻開關等應用場景。器件結構優化了開關特性，在保持高電流承載能力的同時，具備良好的動態響應能力。
