BSC040N10NS5ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:3.6mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有120A的連續(xù)漏極電流（ID）、100V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及3.6毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。低導通電阻使其在大電流工作條件下顯著降低導通損耗，提升整體能效。適用于高功率密度的開關(guān)電源、電機驅(qū)動、不間斷電源及各類高效電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。器件在高頻開關(guān)應用中表現(xiàn)出良好的動態(tài)性能和熱穩(wěn)定性，適合對效率與空間布局有較高要求的電子設(shè)備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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