BSC097N06NSTATMA1_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:65A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:8mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備65A的連續(xù)漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時(shí)，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）典型值為8毫歐。器件在中高功率開關(guān)應(yīng)用中可實(shí)現(xiàn)較低的導(dǎo)通損耗，適用于對(duì)效率和熱性能有要求的電源管理、電機(jī)控制及直流-直流轉(zhuǎn)換等電路。其電氣參數(shù)組合使其在頻繁開關(guān)或持續(xù)大電流工況下仍能保持穩(wěn)定工作特性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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