NVMFS4C03NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:150A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:1.4mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備150A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻僅為1.4毫歐，柵源電壓最高支持20V。其超低導通電阻有效降低導通損耗，適用于高效率、大電流的功率轉換場合，如開關電源、電機控制及電池管理系統等。器件在高頻開關應用中表現出良好的動態特性，同時優異的熱性能有助于維持系統長期穩定運行。
