STD7N65M6-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:11A 參數2：VDSS:900V 參數3：RDON:712mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有900V的漏源擊穿電壓（VDSS）和11A的連續漏極電流（ID），在25℃條件下導通電阻（RDS(ON)）為712mΩ。其柵源電壓范圍為-8V至@0V，適用于高電壓、高效率的功率轉換場景。器件利用碳化硅材料特性，在高頻開關應用中表現出較低的開關損耗與良好的熱穩定性，適合用于對能效和體積有較高要求的電源系統中。
