MJD15N65_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有15A的連續(xù)漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻典型值為260mΩ，在柵源電壓范圍-5V至!6V內(nèi)穩(wěn)定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高頻、高效率電力轉(zhuǎn)換場景中表現(xiàn)出優(yōu)異的開關(guān)性能與熱穩(wěn)定性，適用于對能效和功率密度有較高要求的電源系統(tǒng)。其低導(dǎo)通損耗與快速開關(guān)能力有助于簡化散熱設(shè)計并提升整體系統(tǒng)響應(yīng)速度。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
