NVMFWS2D9N04XMT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:130A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:2.8mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有130A的連續漏極電流（ID）和40V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至2.8毫歐。其高電流承載能力與極低導通損耗相結合，適用于對效率和熱性能要求較高的功率轉換場景。器件結構支持快速開關操作，在電源管理、電機驅動及高頻同步整流等應用中可有效降低系統功耗并提升整體能效。
