DMT6005LPSW-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:3.7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有100A的連續漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至3.7mΩ。憑借極低的導通阻抗，器件在大電流工作條件下可顯著減少功率損耗，提升系統效率。適用于高功率密度的開關電源、電機驅動、電池充放電管理以及對熱性能和能效要求嚴苛的電力電子應用。其結構支持良好的散熱能力和穩定運行特性。
