SIR4602LDP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:65A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:8mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有65A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為60V，導通電阻為8毫歐，柵源電壓額定值為20V。其較低的導通電阻有助于減小導通損耗，在高電流工作條件下仍能維持良好的熱性能。適用于電源轉換、電機驅動及高效率開關電路等場景，尤其在需要兼顧功耗與空間布局的電子系統中表現穩定可靠。
