BSC094N06LS5ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:65A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:8mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有65A的連續(xù)漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至8mΩ，在柵源電壓（VGS）為20V時可實現(xiàn)高效導(dǎo)通。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗，提升系統(tǒng)效率，適用于對電流承載能力和開關(guān)性能要求較高的電源管理、電機驅(qū)動及各類高效率電力轉(zhuǎn)換場景。器件結(jié)構(gòu)支持快速開關(guān)操作，適合需要高可靠性和穩(wěn)定性的電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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