DMT10H009LPSW-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的額定漏極電流（ID）為75A，漏源擊穿電壓（VDSS）為100V，導通電阻（RDS(ON)）低至6.4毫歐。其低導通電阻特性有助于顯著降低導通狀態下的功率損耗，適用于高電流、高效率要求的電源轉換、電機控制、電池管理系統及各類開關電源拓撲結構。器件在高頻開關操作中表現出良好的動態性能，適合對熱管理和能效有較高需求的電子應用場合。
