DMT3003LFGQ-13-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有100A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），以及低至2.5毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其極低的導通電阻有助于顯著減少功率損耗和溫升，在高電流工作條件下仍能維持高效運行。適用于對能效和熱管理要求較高的直流電源系統，如開關電源、電池供電設備及高密度功率模塊中的同步整流與負載開關等應用場景。
