NTMFS4839NHT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）僅為4.3毫歐。低導通電阻有助于顯著降低導通狀態(tài)下的功率損耗，提升整體能效。適用于高電流、高效率要求的電源管理模塊、電池供電系統(tǒng)及各類開關模式電源應用。其電氣特性支持快速開關操作，在高頻電路中可維持穩(wěn)定性能。
