TPH11003NL,LQ_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有50A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為6.5毫歐，在柵源電壓（VGS）高達±20V時仍可穩定運行。其較低的導通電阻有助于減小導通損耗，提升系統效率，適用于中高電流的電源轉換、電機驅動及高頻開關等應用。器件具備良好的熱穩定性和開關特性，能夠在緊湊型電路設計中提供可靠的性能表現。
