SIR482DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具備80A的漏極電流（ID）和30V的漏源電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為4.7毫歐，在柵源電壓（VGS）達(dá)20V時(shí)可確保可靠驅(qū)動(dòng)。其低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升系統(tǒng)能效。適用于高電流開(kāi)關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)、電動(dòng)工具及各類需要高效功率轉(zhuǎn)換與快速開(kāi)關(guān)響應(yīng)的電子設(shè)備中，能夠有效支持緊湊布局與熱管理需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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