STL75NH3LL-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為4.3毫歐，柵源驅動電壓（VGS）額定值為20V。其極低的導通電阻有效降低導通損耗，適用于高電流、高效率要求的電源轉換與配電系統。在高頻開關條件下，器件仍能保持良好的熱穩定性和電氣性能，適合用于對功率密度和能效有嚴苛要求的應用場合。
