IPD65R950CFDATMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:11A 參數2：VDSS:900V 參數3：RDON:712mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備900V的漏源擊穿電壓（VDSS）和11A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為712mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具有高耐壓能力和良好的高溫工作特性，在高頻開關條件下仍能維持較低的開關損耗。適用于對效率與可靠性要求較高的電源轉換系統，尤其適合空間受限但需穩定運行的高電壓應用場景。
