SIR186DP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:3.7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有100A的連續漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至3.7毫歐，適用于對導通損耗和熱效率要求嚴苛的高電流開關應用。其極低的導通電阻有助于減少功率損耗，提升系統整體能效，在電源轉換、大電流負載控制及高頻開關電路中可提供穩定可靠的性能表現。
