TPA65R360M_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有15A的連續(xù)漏極電流與650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻為260mΩ，在柵源電壓范圍-5V至!6V內(nèi)穩(wěn)定工作。器件基于碳化硅材料，具備優(yōu)異的高頻特性和高溫穩(wěn)定性，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、開關(guān)模式電源及各類電力電子系統(tǒng)中，可有效降低開關(guān)損耗并提升整體能效表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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