C3M15120HB1_module-HB_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：module-HB 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：10/托盤 參數1：ID:117A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:15mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅場效應管為N溝道結構，具備117A的連續漏極電流（ID）和1200V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于高電壓、大電流工作環境。其導通電阻（RDON）低至15mΩ，可有效降低導通損耗，提升系統能效。碳化硅材料特性賦予器件優異的開關速度與熱穩定性，支持高頻工作模式。該器件常用于高壓直流變換器、大功率開關電源模塊、儲能系統的能量管理電路以及光伏逆變裝置中的主功率轉換級，滿足對功率密度、轉換效率和長期可靠性有較高要求的電力電子拓撲應用。
