IMT65R050M2HXUMA1-HXY_TOLLS_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數1：ID:63A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:58mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有63A的連續漏極電流、650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為58mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。基于碳化硅材料特性，器件在高頻開關應用中表現出較低的導通與開關損耗，同時具備良好的熱穩定性。適用于高效率電源轉換系統，如服務器電源、通信設備供電模塊以及對功率密度和能效有較高要求的電力電子裝置。
