STW38N65M5-4-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備36A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻典型值為75mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高擊穿場強與低導通損耗特性，適用于高頻、高效率的電源轉換系統，如服務器電源、光伏逆變器及儲能設備等。其寬柵壓范圍提升了驅動電路的適應性，并有助于優化開關性能與熱穩定性。
