SIHG041N65SF-GE3-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:44mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備70A的連續(xù)漏極電流與650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻為44mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開(kāi)關(guān)條件下仍能保持較低的開(kāi)關(guān)損耗和良好的熱穩(wěn)定性，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其電氣參數(shù)適合用于對(duì)能效和緊湊布局有較高要求的電力電子應(yīng)用中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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