TK28N65W,S1F_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:32A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備32A的漏極電流能力與650V的漏源耐壓，導通電阻為94mΩ，可在柵源電壓-10V至@5V范圍內正常工作。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高頻開關操作中表現出較低的導通損耗和優異的熱穩定性。其電氣參數組合適合用于高效率電源轉換、可再生能源系統及各類需要緊湊設計與高功率密度的電力電子應用場合。
