STW35N65M5-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為36A，漏源電壓耐受能力達650V，導通電阻典型值為75mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，在高頻工作條件下展現出較低的導通與開關損耗，同時具備良好的熱導性能和穩定性。適用于高效率電源、可再生能源轉換系統以及對體積和能效有較高要求的電力電子應用場合。
