NTMT090N65S3HF-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:37A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續漏極電流為37A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻為75mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具備低導通損耗與優異的開關性能，在高頻運行條件下仍能保持高效穩定。適用于對功率轉換效率和熱管理有較高要求的電源系統，如高密度開關電源、可再生能源轉換裝置及高性能計算設備中的供電模塊。
