R6547ENZ4C13-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有36A的漏極電流額定值，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為75mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具備優異的高溫穩定性和高頻開關能力，在高效率電源轉換、可再生能源系統及高密度電力電子模塊中可有效降低導通與開關損耗，提升整體能效表現。
