SCT3022ALHRC11-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:108A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備108A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導(dǎo)通電阻低至20mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。憑借碳化硅材料的優(yōu)異特性，器件在高頻、高效率的電力轉(zhuǎn)換場景中展現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗，適用于對(duì)能效和熱管理要求較高的電源系統(tǒng)。其寬柵壓范圍提升了驅(qū)動(dòng)兼容性，同時(shí)高耐壓與大電流能力保障了在嚴(yán)苛電氣環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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