IPP65R099C6XKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流ID為30A，漏源擊穿電壓VDSS達650V，導通電阻RDS(ON)為94mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具備高耐壓與低導通損耗特性，適用于對效率和熱管理要求較高的電力轉換場景。其寬柵壓范圍提升了驅動兼容性，適合在高頻開關條件下穩定運行，滿足多種電源系統對高性能功率開關的需求。
