STW38N65M5-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備36A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻低至75mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的高熱導率與高臨界電場強度，器件在高頻、高電壓工作條件下仍能保持較低的導通損耗和良好的開關特性。其優化的柵壓范圍適配多種驅動方案，適用于高效率電源轉換、可再生能源接入系統及對功率密度和熱性能有較高要求的電子設備。
