NTBG060N065SC1-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:36mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為70A，漏源電壓耐受能力達650V，導通電阻為36mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備優異的開關速度和高溫工作能力，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉換系統，如服務器電源、光伏逆變器及高頻開關電源等場合，能夠在嚴苛電氣環境下保持穩定性能。
