STW69N65M5-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:ID:70A 參數2:VDSS:650V 參數3:RDON:44mR 參數4:VGS:-8/+20V 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有70A的連續漏極電流、650V的漏源擊穿電壓和44mΩ的導通電阻,柵源電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝,在高頻工作時表現出較低的開關損耗與導通損耗,同時具備良好的熱導性能。適用于高效率、高功率密度的電源系統,尤其在對體積、散熱及能效有嚴格要求的電力電子設備中表現突出。
