SICW100N065H4-BP-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有36A的漏極電流額定值，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為75mΩ，在柵源驅動電壓范圍-8V至@0V內可靠運行。器件利用碳化硅材料的高擊穿場強與低導通損耗特性，適用于高頻、高效率的電源轉換場景，可在緊湊型電力電子系統中實現優異的熱性能與開關表現。
