SIHP125N65E-GE3-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有30A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻典型值為94mΩ，在柵源電壓范圍-10V至@5V內穩定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高頻、高溫環境下展現出優異的開關性能與低導通損耗，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉換系統，如服務器電源、可再生能源逆變器及高頻開關電源等場景。
