IPA65R099C6XKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:95mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和24A的連續漏極電流能力，導通電阻（RDS(ON)）為95mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下表現出較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及緊湊型電力電子設備。其寬VGS范圍增強了與不同驅動電路的兼容性，同時支持在較高結溫下穩定運行。
