SICW100N065H-BP-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:32A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備32A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高頻開關應用中展現出較低的導通與開關損耗，同時具有良好的熱導性能和穩定性。適用于高效率電源、服務器電源、光伏逆變系統及對體積與能效有較高要求的電力電子設備。
