IPW60R099CPFKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:38A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:95mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET支持38A的連續漏極電流，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻低至95mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。憑借碳化硅材料的特性，器件在高頻開關應用中表現出較低的導通與開關損耗，同時具備良好的熱穩定性。適用于對能效和緊湊布局有較高要求的電源轉換系統，可在高工作頻率下維持高效運行。
