NTHL110N65S3F-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備32A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓達(dá)650V，導(dǎo)通電阻為94mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-10V至@5V。其采用碳化硅材料，具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和高頻開關(guān)特性，在高效率電源、可再生能源系統(tǒng)及高頻電力轉(zhuǎn)換等應(yīng)用中可實現(xiàn)更低的損耗與更高的功率密度。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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