STWA30N65DM6AG-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:32A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的額定漏極電流為32A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻為94mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅工藝，在高頻開關條件下可維持較低的導通與開關損耗，同時具備良好的熱性能和穩定性。適用于對效率、體積和溫升有較高要求的電源轉換系統，如服務器電源、光伏逆變器及高密度電力模塊等場景。
