FF06100J-7-HXY_TO-263-7L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：ID:31A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有31A的連續(xù)漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通損耗與高速開關(guān)能力，適用于高效率電源、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)及緊湊型電力電子設(shè)備。其寬柵壓范圍增強(qiáng)了驅(qū)動(dòng)電路的適應(yīng)性，并在高溫條件下維持可靠的電氣性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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