SIHG33N65EF-GE3-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:32A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備32A的漏極電流能力與650V的漏源耐壓，導通電阻為94mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高頻開關操作中表現出較低的導通損耗和優異的熱穩定性，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及高性能計算設備中的功率管理模塊，能夠在緊湊布局下維持良好的電氣性能與可靠性。
